NTMFS5830NLT1G

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

NTMFS5830NLT1G datasheet

• Маркировка
  NTMFS5830NLT1G
• Производитель
  ON Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor NTMFS5830NLT1G Quantity: 500 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 28 A Resistance Drain-Source RDS (on): 3.6 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SO-8 FL Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 125 W
• Количество страниц
  3 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet NTMFS5830NLT1G.pdf
Файл формата Pdf 92,21 KB